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品牌介绍

从消费电子产品到汽车和工业设施,Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收购的公司战略的一部分,它们正在向邻近市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和配电的产品。

英文全称: IXYS

中文全称: 艾赛斯.力特

英文简称: IXYS

品牌地址: http://www.littelfuse.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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IXTV03N400S
IXTV03N400S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 4000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: +220SMD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.94791

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.94791

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IXFK74N50P2
IXFK74N50P2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Tc) 最大功耗: 1400W(Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.52734

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.52734

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IXFX74N50P2
IXFX74N50P2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Tc) 最大功耗: 1400W(Tc) 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥118.30553

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥118.30553

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IXFB120N50P2
IXFB120N50P2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 1890瓦(Tc) 供应商设备包装: PLUS264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.36699

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.36699

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IXFQ24N50P2
IXFQ24N50P2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 480W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.24146

9000

5-7 工作日

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合计: ¥10.24146

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IXTA02N450HV
IXTA02N450HV
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 4500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Tc) 最大功耗: 113W(Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.65627

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.65627

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IXTF03N400
IXTF03N400
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 4000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: ISOPLUS i4 PAC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.55871

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.55871

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IXTA02N250
IXTA02N250
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 2500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥62.88286

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.88286

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IXFH80N30P3
IXFH80N30P3
MOSFET N-CH 300V 80A TO-247

¥45.60130

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.60130

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IXFN40N110Q3
IXFN40N110Q3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 960W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.24050

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.24050

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IXFN64N50PD3
IXFN64N50PD3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.30669

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.30669

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IXFT80N30P3
IXFT80N30P3
MOSFET N-CH 300V 80A TO-268

¥22.30813

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.30813

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IXFT88N28P
IXFT88N28P
MOSFET N-CH 280V 88A TO268

¥31.94119

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.94119

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IXTA110N12T2
IXTA110N12T2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 517W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.84502

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.84502

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IXTP110N12T2
IXTP110N12T2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 517W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥59.53664

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.53664

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IXTA27N20T
IXTA27N20T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 供应商设备包装: TO-263AA

¥140.97581

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥140.97581

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IXTA36N20T
IXTA36N20T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA

¥18.41145

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.41145

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IXTA36N30T
IXTA36N30T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA

¥16.42690

9000

5-7 工作日

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合计: ¥16.42690

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IXTA38N15T
IXTA38N15T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA

¥21.81562

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.81562

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IXTA44N25T
IXTA44N25T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA

¥10.19753

9000

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合计: ¥10.19753

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