9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN64N50PD3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN64N50PD3参考价格为3.494美元。IXYS IXFN64N50PD3封装/规格：MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B。您可以下载IXFN64N50PD3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN64N50P是MOSFET 500V 64A，包括IXFN64N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为700 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为61A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为85mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为50S，沟道模式为增强。
IXFN64N50PD2是64安培500V的分立半导体模块，包括1.340411盎司的单位重量，它们设计用于Boost和Buck MOSFET模块类型，系列如数据表注释所示，用于IXFN64N60，提供功率半导体模块等产品功能，封装设计用于管，以及SOT-227B封装外壳，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。
IXFN64N20，电路图由IXYS制造。IXFN64N20在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN64N50，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN64N50在模块包中提供，是模块的一部分。
