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IXFH50N30Q3
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IXFH50N30Q3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 95.97905 95.97905
10+ 88.17939 881.79399
100+ 74.47512 7447.51220
500+ 66.25111 33125.55550
1000+ 62.30513 62305.13700
  • 库存: 330
  • 单价: ¥95.97905
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥95.98
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规格参数

  • 宽（英寸） -
  • 高度（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 300伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247AD (IXFH)
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 25A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 6.5V @ 4毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 65 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3160 pF @ 25 V
  • 最大功耗 690W (Tc)

IXFH50N30Q3 产品详情

IXFH50N30Q3系列功率MOSFET为终端用户提供了广泛的器件，这些器件表现出卓越的功率开关性能、优异的热特性、增强的器件耐用性和高能效。可提供200V–1000V的漏极到源极电压额定值和10A–100A的漏极电流额定值，IXFH50N30Q3系列具有低导通电阻（Rdson）和栅极电荷（Qg）的优化组合，从而大大降低了器件的导通和开关损耗。通过使用我们经过验证的HiPerFETTM工艺，功率开关能力和器件耐用性得到进一步增强，产生具有快速本征整流器的器件，其提供低反向恢复电荷（Qrr）。

特色

  • 每个硅区域的低Rdson
  • 低Qgand Qgd
  • 优异的dV/dt性能
  • 高速切换
  • 快速固有整流器
  • 低固有栅电阻
  • 高雪崩能量能力
  • 优异的热性能

应用

  • 功率因数校正
  • 蓄电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 服务器和电信电源系统
  • 电弧焊
  • 等离子切割
  • 感应加热
  • 太阳能发电系统
  • 电机控制装置

优势：

  • 易于安装
  • 高功率密度
  • 节省空间

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXFN27N120SKIXFN27N120SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B¥340.96757
IXFN130N90SKIXFN130N90SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B¥1,053.1769
IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.31393
IXFH50N20IXFH50N20艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥81.10194
IXFH50N30Q3IXFH50N30Q3艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥95.97905
IXFT120N25X3HVIXFT120N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥104.42867
IXFT50N85XHVIXFT50N85XHV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥137.64941
IXFH16N120PIXFH16N120P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥150.43218
IXFT170N25X3HVIXFT170N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥158.52071
IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.29679
IXFH50N30Q3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFH50N30Q3 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFH50N30Q3价格参考￥95.979051，你可以下载 IXFH50N30Q3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFH50N30Q3规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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