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STB21N90K5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 2000
  • 单价: ¥89.79923
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥89.80
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 最大功耗 250W(Tc)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18.5A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 299毫欧姆@9A、10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1645 pF@100 V

STB21N90K5 产品详情

这些器件是使用SuperMESH 5技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的雪崩式坚固高压功率MOSFET技术基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。

特色

  • TO-220世界数据库RDS(打开)
  • 全球最佳FOM(绩效指标)
  • 超低门电荷
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护
STB21N90K5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STB21N90K5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STB21N90K5价格参考¥89.799229,你可以下载 STB21N90K5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STB21N90K5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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