N沟道HiPerFET™ IXFH50N20系列包括流行的功率MOSFET（HiPerFET™) 用于硬开关和谐振模式应用，通过快速本征二极管提供低栅极电荷和出色的耐用性。该系列可用于许多标准工业包装，包括隔离型。
特色
- 国际标准包装
- 高电流处理能力
- 低RDS（on）HDMOS工艺
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 快速本征二极管
应用
- DC-DC转换器
- 蓄电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流截波器
- 交流电机驱动
- 温度和照明控制
优势：
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
IXFH50N20
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 81.10193 | 81.10193 |
| 10+ | 73.27339 | 732.73397 |
| 100+ | 60.66251 | 6066.25160 |
| 500+ | 52.82415 | 26412.07700 |
| 1000+ | 46.47292 | 46472.92700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥81.10194
-
数量:
- +
- 总计: ¥81.10
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 包装/外壳 至247-3
- 最大功耗 300W (Tc)
- 部件状态 不适用于新设计
- 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 25A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 4毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 220 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4400 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 TO-247AD (IXFH)
IXFH50N20 产品详情
IXFH50N20 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXFN27N120SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B | ¥340.96757 |
 | IXFN130N90SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B | ¥1,053.1769 |
 | IXFP3N120 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.31393 |
| IXFH50N20 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥81.10194 |
 | IXFH50N30Q3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥95.97905 |
 | IXFT120N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥104.42867 |
 | IXFT50N85XHV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥137.64941 |
 | IXFH16N120P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.43218 |
 | IXFT170N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.52071 |
| IXFN180N10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | ¥68.29679 |
IXFH50N20所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFH50N20 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFH50N20价格参考￥81.101937，你可以下载 IXFH50N20中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFH50N20规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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