N沟道HiPerFET™ IXFP3N120系列包括流行的功率MOSFET（HiPerFET™) 用于硬开关和谐振模式应用，通过快速本征二极管提供低栅极电荷和出色的耐用性。该系列可用于许多标准工业包装，包括隔离型。
特色
- 国际标准包装
- 高电流处理能力
- 低RDS（on）HDMOS工艺
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 快速本征二极管
应用
- DC-DC转换器
- 蓄电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流截波器
- 交流电机驱动
- 温度和照明控制
优势：
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
IXFP3N120
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 61.19931 | 61.19931 |
| 10+ | 55.27401 | 552.74011 |
| 100+ | 45.76180 | 4576.18070 |
| 500+ | 39.84890 | 19924.45000 |
| 1000+ | 35.05769 | 35057.69300 |
- 库存: 1155
- 单价: ¥61.19932
-
数量:
- +
- 总计: ¥61.20
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 最大功耗 200W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 4.5欧姆 @ 500毫安, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1.5毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1050 pF@25 V
IXFP3N120 产品详情
IXFP3N120 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXFN27N120SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B | ¥340.33019 |
 | IXFN130N90SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B | ¥1,051.20818 |
| IXFP3N120 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.19932 |
 | IXFH50N20 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥80.95033 |
 | IXFH50N30Q3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥95.79964 |
 | IXFT120N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥104.23346 |
 | IXFT50N85XHV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥137.3921 |
 | IXFH16N120P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.15097 |
 | IXFT170N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.22438 |
| IXFN180N10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | ¥68.16912 |
IXFP3N120所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFP3N120 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFP3N120价格参考￥61.199316，你可以下载 IXFP3N120中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFP3N120规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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