9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA44N25T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA44N25T参考价格为1.407934美元。IXYS IXTA44N25T封装/规格：MOSFET N-CH 250V 44A TO263。您可以下载IXTA44N25T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTA3N60P是MOSFET 3安培600V 2.9欧姆Rds，包括IXTA3N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为70 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为9.8nC，正向跨导最小值为2.2S，并且信道模式是增强。
IXTA42N25P是MOSFET 42安培250V 0.084 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为81 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA42N25系列，器件的上升时间为28ns，漏极电阻Rds为84mOhms，Pd功耗为300W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为42 A，下降时间为30 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTA42N28P，电路图由IXYS制造。IXTA42N28P采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
