9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA36N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA36N20T价格参考2.542美元。IXYS IXTA36N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 36A TO263。您可以下载IXTA36N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA32P20T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括IXTA32P22系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为32 a，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为130 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为57 ns，典型接通延迟时间为32 ns，Qg栅极电荷为180 nC，正向跨导最小值为18 S，沟道模式为增强。
IXTA32P05T是MOSFET 32安培50V 0.036 Rds，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作IXTA32P05系列。此外，Rds漏极-源极电阻为39 mOhms，该器件提供83 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为-32A，配置为Single，通道模式为Enhancement。
IXTA340N04T4带有电路图，包括管封装，它们设计为使用Si技术操作，产品名称显示在TrenchT4中使用的数据表注释中。
