9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA27N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA27N20T参考价格为19.464美元。IXYS IXTA27N20T封装/规格：MOSFET N-CH 20V 27A TO263。您可以下载IXTA27N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA26P20P是MOSFET P-CH 200V 26A TO-263，包括PolarP？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-263（IXTA），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为2740pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为26A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为170mOhm@13A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为33ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为-200V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型导通延迟时间为18ns，沟道模式为增强型。
IXTA270N04T4带有用户指南，其中包括TrenchT4商品名，它们设计为使用Si技术操作，包装如数据表注释所示，用于管中。
IXTA26P20T，带有IXYS制造的电路图。IXTA26P20T采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
