9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT80N30P3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT80N30P3参考价格为3.08美元。IXYS IXFT80N30P3封装/规格：MOSFET N-CH 300V 80A TO-268。您可以下载IXFT80N30P3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT80N10Q是MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds，包括IXFT80N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为15mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
IXFT80N20Q是MOSFET 80安培200V 0.03 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT80N20系列，上升时间为50ns，漏极电阻Rds为28mOhms，Pd功耗为360W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT80N15Q是MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于20 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如80 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极-源极电阻Rds为22.5 mOhms，上升时间为55 ns，系列为IXFT80N15，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为4500g，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
