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IXFT86N30T是MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A，包括IXFT86N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TRENCH HIPERFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为830 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为54 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为86 A，Vds漏极-源极击穿电压为300 V，Vgs栅-源极阈值电压为5 V，Rds漏极-源极电阻为43mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为180nC，正向跨导最小值为70S，沟道模式为增强。
IXFT80N20Q是MOSFET 80安培200V 0.03 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT80N20系列，上升时间为50ns，漏极电阻Rds为28mOhms，Pd功耗为360W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT80N30P3是MOSFET HiPerFET功率MOSFET，包括通孔安装型，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于管中，提供IXFT80N40等系列功能，技术设计为在Si中工作，以及HiPerFET商标，该设备也可以用作0.229281盎司单位重量。
