9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH80N30P3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH80N30P3参考价格$6.296。IXYS IXFH80N30P3封装/规格：MOSFET N-CH 300V 80A TO-247。您可以下载IXFH80N30P3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH80N10Q是MOSFET 100V 80A，包括IXFH80N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为45S，沟道模式为增强。
IXFH80N15Q是由IXYS制造的MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD。IXFH80N15Q在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD、N沟道150V 80B（Tc）360W（Tc）通孔TO-247D（IXFH）。
IXFH80N20Q是由IXYS制造的MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD。IXFH80N20Q在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD、N沟道200V 80V（Tc）360W（Tc）通孔TO-247D（IXFH）、Trans-MOSFET N-CH Si 200V 80B 3-Pin（3+Tab）TO-247OD。
