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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT47H128M8CF-3:H
MT47H128M8CF-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥19.01986

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合计: ¥19.01986

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MT47H128M8JN-25E:H
MT47H128M8JN-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥35.86684

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合计: ¥35.86684

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MT47H128M8JN-3:H
MT47H128M8JN-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥32.01362

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合计: ¥32.01362

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MT29F1G08ABCHC:C
MT29F1G08ABCHC:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥853.08325

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MT47H256M4CF-25E:H
MT47H256M4CF-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥62.21651

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MT29F1G08ABCHC-ET:C
MT29F1G08ABCHC-ET:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥17.64370

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M29W128GL60ZA6E
M29W128GL60ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥41.73359

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MT29F1G16ABCHC:C
MT29F1G16ABCHC:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥74.41356

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MT46V32M8CY-5B:M
MT46V32M8CY-5B:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12.5)

¥46.07933

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合计: ¥46.07933

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M29W128GL70ZA6DE
M29W128GL70ZA6DE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥70.93696

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MT29F1G16ABCHC-ET:C
MT29F1G16ABCHC-ET:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥16.45587

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MT46V64M4P-5B:M
MT46V64M4P-5B:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥94.88199

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合计: ¥94.88199

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M29W128GL7AN6E
M29W128GL7AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥22.64131

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合计: ¥22.64131

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M29W160ET7AN6E
M29W160ET7AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥53.26429

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合计: ¥53.26429

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M29W256GH70N3E
M29W256GH70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥74.12384

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合计: ¥74.12384

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MT47H256M4CF-3:H
MT47H256M4CF-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥141.22206

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M29W320DB80ZA3E
M29W320DB80ZA3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (7x11)

¥61.53568

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合计: ¥61.53568

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M29W400DB45N6E
M29W400DB45N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥91.08671

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MT47H256M8THN-25E:H
MT47H256M8THN-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (8x10)

¥919.41373

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合计: ¥919.41373

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N25Q032A13ESC40G
N25Q032A13ESC40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥28.04451

9000

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