品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥32.42139 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥32.42139 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥24.06091 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.06091 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥36.43179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥22.04739 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.04739 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 55-VFBGA (8x10) | ¥16.67316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.67316 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥40.22707 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.22707 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥120.79709 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.79709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥86.52368 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.52368 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥27.50853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.50853 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥15.94887 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.94887 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥65.44684 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.44684 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥99.30016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥99.30016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥65.14264 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.14264 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥65.38890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.38890 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥28.13142 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.13142 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥38.70606 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.70606 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13) | ¥49.12135 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.12135 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥45.05084 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.05084 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x10) | ¥27.68236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.68236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x10) | ¥43.29806 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.29806 | 添加到BOM 立即询价 |