品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x10) | ¥120.14523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.14523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥39.41586 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.41586 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x10) | ¥14.90589 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.90589 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | ¥47.81763 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.81763 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥33.60706 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.60706 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5) | ¥14.51477 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.51477 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x16) | ¥187.96774 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥187.96774 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | ¥121.94146 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.94146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5) | ¥87.66806 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.66806 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8) | ¥32.24539 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.24539 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥43.79057 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.79057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W | ¥29.78281 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.78281 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥87.14657 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.14657 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO W | ¥41.38593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.38593 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥49.29518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.29518 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥123.70149 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.70149 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥30.47812 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.47812 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x16) | ¥119.16019 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.16019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥35.30190 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.30190 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥227.23875 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥227.23875 | 添加到BOM 立即询价 |