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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT47H64M16HR-187E:H
MT47H64M16HR-187E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥27.33471

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合计: ¥27.33471

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MT47H64M8JN-25E:G
MT47H64M8JN-25E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥21.71421

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合计: ¥21.71421

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MT47H64M16HR-25:H
MT47H64M16HR-25:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥24.19129

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M29W640GSB70ZF6E
M29W640GSB70ZF6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥86.20500

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合计: ¥86.20500

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MT49H16M18SJ-25:B
MT49H16M18SJ-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥51.71222

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M29W640GSH70ZF6E
M29W640GSH70ZF6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥101.19780

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MT49H16M18FM-25:B
MT49H16M18FM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥11.24098

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MT49H16M36BM-18:B
MT49H16M36BM-18:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥69.32904

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M29W640GT60NA6E
M29W640GT60NA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥21.48244

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MT49H16M36BM-25:B
MT49H16M36BM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥65.83796

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M25PE40-VMC6G
M25PE40-VMC6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-MLP (3x3)

¥20.70021

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M29W640GT60ZA6E
M29W640GT60ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥47.16577

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MT49H16M36FM-18:B
MT49H16M36FM-18:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥41.13967

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M29W640GT70ZS6E
M29W640GT70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥58.37777

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合计: ¥58.37777

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M29W640GT90NA6E
M29W640GT90NA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥37.88037

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合计: ¥37.88037

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M29W800DT70ZM6E
M29W800DT70ZM6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥85.29239

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合计: ¥85.29239

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M29W800FT70ZA3SE
M29W800FT70ZA3SE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥11.44378

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M36L0R7050U3ZSE
M36L0R7050U3ZSE
IC FLASH PSRAM 160M

¥27.85619

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M36L0R7060L3ZSE
M36L0R7060L3ZSE
IC FLASH PSRAM 192M

¥65.88142

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M36L0R7060U3ZSE
M36L0R7060U3ZSE
IC FLASH PSRAM 192M

¥28.88469

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