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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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JR28F032M29EWBA
JR28F032M29EWBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥36.30142

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JS28F00AM29EWHE
JS28F00AM29EWHE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥103.96459

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MT46V32M16P-5B:J
MT46V32M16P-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥11.87329

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MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥20.25115

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MT41J128M16HA-107G:D
MT41J128M16HA-107G:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥18.07828

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JS28F128J3F75H
JS28F128J3F75H
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥2.62193

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JS28F320J3F75F
JS28F320J3F75F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥52.51103

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M25P10-AVMP6G
M25P10-AVMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-VFQFPN (6x5)

¥48.64332

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MT46V64M4P-5B:K
MT46V64M4P-5B:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥30.50710

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M25P16-VMC6G
M25P16-VMC6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

¥23.66980

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M25P16-VMN6YPBA
M25P16-VMN6YPBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥122.63678

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M25P80-VMC6G
M25P80-VMC6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

¥34.85284

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MT47H128M16RT-187E:C
MT47H128M16RT-187E:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (9x12.5)

¥54.85773

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MT55L256L36FT-11
MT55L256L36FT-11
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 90 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥104.44262

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M25PE40-VMP6G
M25PE40-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥89.81196

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MT47H32M16HR-3:G
MT47H32M16HR-3:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥37.08365

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M25PX64SOVZM6P
M25PX64SOVZM6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥136.20998

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M25PX64-VMD6G
M25PX64-VMD6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFN (6x8)

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MT48LC16M16A2B4-7E:G
MT48LC16M16A2B4-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥39.27100

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M25PX64-VZM6P
M25PX64-VZM6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

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