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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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N25Q00AA13GSF40G
N25Q00AA13GSF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP

¥20.68572

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5-7 工作日

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合计: ¥20.68572

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MT29F64G08AKABAC5-IT:B
MT29F64G08AKABAC5-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥77.60043

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合计: ¥77.60043

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N25Q512A13GF840F
N25Q512A13GF840F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥67.93840

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5-7 工作日

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合计: ¥1,834.33685

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NAND08GAH0FZC5E
NAND08GAH0FZC5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 153-LFBGA (11.5x13)

¥18.33902

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5-7 工作日

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合计: ¥18.33902

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MT29F64G08AKCBBH2-12:B
MT29F64G08AKCBBH2-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥27.78376

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合计: ¥27.78376

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N25Q256A83E1240E
N25Q256A83E1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥48.17977

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5-7 工作日

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合计: ¥48.17977

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JS28F256P30BFE
JS28F256P30BFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥68.59026

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合计: ¥1,851.93710

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MT41J128M16JT-107:K
MT41J128M16JT-107:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥41.61741

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2-3 工作日

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合计: ¥41.61741

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N25Q128A11E1240E
N25Q128A11E1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥176.94405

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5-7 工作日

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合计: ¥176.94405

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M29W064FB70N3E
M29W064FB70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥33.83883

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合计: ¥33.83883

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MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B
MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥50.93207

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MT41J128M16JT-107G:K
MT41J128M16JT-107G:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥48.95301

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2-3 工作日

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N25Q512A13G1240E
N25Q512A13G1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥83.17746

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合计: ¥83.17746

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N25Q512A83G1240F
N25Q512A83G1240F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥70.03884

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5-7 工作日

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合计: ¥1,821.00992

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MT29F64G08AMABAC5:B
MT29F64G08AMABAC5:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥160.02463

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5-7 工作日

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合计: ¥160.02463

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MT41J256M16HA-093G:E
MT41J256M16HA-093G:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥133.28385

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合计: ¥133.28385

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N25Q128A11EF840E
N25Q128A11EF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥27.05947

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合计: ¥27.05947

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PC28F256P30BFE
PC28F256P30BFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥70.18370

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合计: ¥1,824.77623

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M29W128GH7AZS6E
M29W128GH7AZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥48.81715

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合计: ¥48.81715

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MT29F64G08AMABAC5-IT:B
MT29F64G08AMABAC5-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥26.00201

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合计: ¥26.00201

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