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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F32G08AFABAWP-IT:B
MT29F32G08AFABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥61.37634

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MT46H64M32L2JG-5:A
MT46H64M32L2JG-5:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12)

¥21.39553

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MT46H64M32L2JG-6:A
MT46H64M32L2JG-6:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12)

¥533.72930

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合计: ¥533.72930

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MT46H8M16LFBF-5:K
MT46H8M16LFBF-5:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥31.76736

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MT46H8M32LFB5-5:H
MT46H8M32LFB5-5:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥128.69185

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PC28F00AP30EF0
PC28F00AP30EF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥20.96095

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PC28F00AP30TF0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥34.60658

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PC28F00AP30BF0
PC28F00AP30BF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥12.00873

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合计: ¥12.00873

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JS28F00AP30EF0
JS28F00AP30EF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥107.80332

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合计: ¥107.80332

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PC28F00AP33EF0
PC28F00AP33EF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥34.62106

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合计: ¥34.62106

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PC28F00AP33BF0
PC28F00AP33BF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥36.85188

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JS28F00AP33EF0
JS28F00AP33EF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥40.92239

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合计: ¥40.92239

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JS28F00AP33BF0
JS28F00AP33BF0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥48.93303

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合计: ¥48.93303

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PC28F512M29EWH3
PC28F512M29EWH3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥32.65099

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M58LR256KT70ZC5E
M58LR256KT70ZC5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 79-VFBGA (9x11)

¥102.47255

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M58LR128KB85ZB5E
M58LR128KB85ZB5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

¥39.83595

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M58LR128KT85ZB5E
M58LR128KT85ZB5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

¥48.39706

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JS28F00AP33TF
JS28F00AP33TF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥31.76736

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M29DW256G70NF6E
M29DW256G70NF6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥15.57224

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M29DW256G70ZA6E
M29DW256G70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥72.24069

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