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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT41J256M8JE-187E:A
MT41J256M8JE-187E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 82-FBGA (12.5x15.5)

¥58.75441

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MT48LC4M16A2P-6:G
MT48LC4M16A2P-6:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥81.32328

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合计: ¥81.32328

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MT48LC4M16A2TG-6:G
MT48LC4M16A2TG-6:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥55.01707

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合计: ¥55.01707

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PF48F4000P0ZBQE3
PF48F4000P0ZBQE3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥18.54182

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合计: ¥18.54182

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PF48F4000P0ZTQE3
PF48F4000P0ZTQE3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥20.58432

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RC48F4400P0TB0E4
RC48F4400P0TB0E4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥34.98321

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合计: ¥34.98321

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PF48F4400P0VBQE0
PF48F4400P0VBQE0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥140.65712

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合计: ¥140.65712

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PF48F4400P0VBQE3
PF48F4400P0VBQE3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥19.91798

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合计: ¥19.91797

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MT48LC4M32B2B5-6:G
MT48LC4M32B2B5-6:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥7.53262

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合计: ¥7.53262

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JS28F512P30EFA
JS28F512P30EFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥99.95202

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合计: ¥1,899.08838

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RC28F512M29EWLA
RC28F512M29EWLA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥25.79921

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合计: ¥25.79921

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MT48LC4M32B2B5-7:G
MT48LC4M32B2B5-7:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥66.76505

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合计: ¥66.76505

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RC28F512M29EWHA
RC28F512M29EWHA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥87.81292

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合计: ¥87.81292

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MT48LC4M32B2F5-6:G
MT48LC4M32B2F5-6:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥80.55553

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PC28F00AM29EWLE
PC28F00AM29EWLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥148.71122

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合计: ¥148.71122

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MT48LC4M32B2P-6:G
MT48LC4M32B2P-6:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥62.66557

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合计: ¥62.66557

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MT48LC4M32B2P-7:G
MT48LC4M32B2P-7:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥27.49405

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MT48LC4M32B2TG-7:G
MT48LC4M32B2TG-7:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥42.97937

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MT48LC4M32LFB5-10:G
MT48LC4M32LFB5-10:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥18.13622

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合计: ¥18.13622

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RD48F4400P0VBQE3
RD48F4400P0VBQE3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥32.10053

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