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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M29W128FH70N6E
M29W128FH70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥50.19330

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M29W640FB70N6E
M29W640FB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥801.33997

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M29W640FB70ZA6E
M29W640FB70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥47.83791

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M29W640FT70N6E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥36.46076

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M29W640FT70ZA6E
M29W640FT70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥39.90838

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M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥19.08516

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NAND128W3A2BN6E
NAND128W3A2BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥22.55439

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NAND256W3A2BN6E
NAND256W3A2BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥42.92432

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NAND256W3A2BZA6E
NAND256W3A2BZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 55-VFBGA (8x10)

¥73.06203

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MT29F4G08ABCWC:C
MT29F4G08ABCWC:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥18.84603

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MT29F4G16ABCWC:C
MT29F4G16ABCWC:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥67.02580

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PF48F4000P0ZBQEA
PF48F4000P0ZBQEA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥57.39274

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PF48F4400P0VBQEA
PF48F4400P0VBQEA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥36.82290

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M29W160ET70N3E
M29W160ET70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥57.69694

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PC48F4400P0TB0EA
PC48F4400P0TB0EA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥12.81993

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MT41J256M8JE-15E:A
MT41J256M8JE-15E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 82-FBGA (12.5x15.5)

¥11.57415

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MT48LC16M8A2TG-7E:G
MT48LC16M8A2TG-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥9.83586

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RC28F128M29EWHF
RC28F128M29EWHF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥13.66011

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MT41J512M4JE-15E:A
MT41J512M4JE-15E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 82-FBGA (12.5x15.5)

¥37.96728

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合计: ¥37.96728

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MT48LC2M32B2P-55:G
MT48LC2M32B2P-55:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 86-TSOP II

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