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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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JS28F256P33TFE
JS28F256P33TFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥23.74512

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M29W128GSL70N6E
M29W128GSL70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥37.83691

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MT29F8G16ABBCAH4-IT:C
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥93.86798

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NAND01GW3B2CZA6E
NAND01GW3B2CZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9.5x12)

¥479.55241

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N25Q256A13EF840F
N25Q256A13EF840F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥38.90886

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MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4
IC FLASH 36G MLC DDR

¥20.84507

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NAND02GR3B2DN6E
NAND02GR3B2DN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥13.16759

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MT41K256M8HX-187E:D
MT41K256M8HX-187E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥73.21123

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MT29F512G08CUAAAC5:A
MT29F512G08CUAAAC5:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥174.09034

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合计: ¥174.09034

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NAND04GR3B2DN6E
NAND04GR3B2DN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥52.13439

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JS28F640P30BF75A
JS28F640P30BF75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥19.78760

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MT41K512M4HX-15E:D
MT41K512M4HX-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥47.86108

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MT55L512L18FF-11
MT55L512L18FF-11
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 90 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥64.67910

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MT29F512G08CUCABH3-12:A
MT29F512G08CUCABH3-12:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

¥60.76793

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MT41K512M4HX-187E:D
MT41K512M4HX-187E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

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MT29F64G08AECABH1-10:A
MT29F64G08AECABH1-10:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

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M25P16-VMF6PBA
M25P16-VMF6PBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOP2

¥72.55937

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NAND04GW3C2BN6E
NAND04GW3C2BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥86.59611

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MT29F64G08AFAAAWP:A
MT29F64G08AFAAAWP:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥43.90646

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M25P16-VMN3PB
M25P16-VMN3PB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥21.91702

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