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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT29F64G08AJABAWP:B
MT29F64G08AJABAWP:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥144.68417

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5-7 工作日

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合计: ¥144.68417

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M25P16-VMN6PBA
M25P16-VMN6PBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥28.14591

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5-7 工作日

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合计: ¥28.14591

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NAND08GW3C2BN6E
NAND08GW3C2BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥22.16327

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合计: ¥22.16327

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N25Q512A83G1240E
N25Q512A83G1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥17.44090

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合计: ¥17.44090

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MT29F64G08AJABAWP-IT:B
MT29F64G08AJABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥22.61233

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NAND16GW3B6DPA6E
NAND16GW3B6DPA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 114-LFBGA(12x16)

¥229.11981

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合计: ¥229.11981

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N25Q512A83GSF40G
N25Q512A83GSF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥14.41337

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合计: ¥14.41337

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M25P40-VMN6PBA
M25P40-VMN6PBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥51.52599

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合计: ¥51.52599

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NAND256W3A0BZA6E
NAND256W3A0BZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 55-VFBGA (8x10)

¥51.45356

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合计: ¥51.45356

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N25Q00AA13G1240E
N25Q00AA13G1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-LPBGA (6x8)

¥26.21930

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合计: ¥26.21930

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MT47H32M16HR-25E:G
MT47H32M16HR-25E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥547.23007

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合计: ¥547.23007

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M25P80-VMN3PB
M25P80-VMN3PB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥32.57856

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合计: ¥32.57856

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NAND02GAH0IZC5E
NAND02GAH0IZC5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 153-LFBGA (11.5x13)

¥35.51918

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合计: ¥35.51918

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MT29F64G08AJABAWP-P:B
MT29F64G08AJABAWP-P:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥41.40042

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合计: ¥41.40042

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MT41DCHA-V80A:E
MT41DCHA-V80A:E
IC DDR3 4G NANA FBGA

¥46.28213

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合计: ¥46.28213

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N25Q256A73ESF40G
N25Q256A73ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥11.13958

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合计: ¥11.13958

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M25P80-VMN6PBA
M25P80-VMN6PBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥61.78194

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合计: ¥61.78194

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MT29F64G08AKABAC5:B
MT29F64G08AKABAC5:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥161.19798

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合计: ¥161.19798

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NAND08GAH0BZA5E
NAND08GAH0BZA5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 169-LFBGA (12x16)

¥243.63667

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MT41J128M16JT-093G:K
MT41J128M16JT-093G:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥104.60196

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