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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT29F64G08CFACAWP:C
MT29F64G08CFACAWP:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥132.11050

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5-7 工作日

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合计: ¥132.11050

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MT41K256M16LY-093:N
MT41K256M16LY-093:N
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥92.70912

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5-7 工作日

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合计: ¥1,854.18240

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MT29F64G08CFACBWP-12:C
MT29F64G08CFACBWP-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥28.05900

0

5-7 工作日

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合计: ¥28.05900

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MT29F8G08ABABAWP:B
MT29F8G08ABABAWP:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥123.34659

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合计: ¥123.34659

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MT44K16M36RB-093E:A
MT44K16M36RB-093E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥549.73611

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合计: ¥549.73611

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MT29F8G08ABCBBH1-12:B
MT29F8G08ABCBBH1-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥497.87695

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合计: ¥497.87695

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MT44K16M36RB-107:A
MT44K16M36RB-107:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥85.82837

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合计: ¥85.82837

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MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B
MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥123.21622

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合计: ¥123.21622

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MT44K32M18RB-107:A
MT44K32M18RB-107:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥41.24107

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合计: ¥41.24107

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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥95.31656

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5-7 工作日

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合计: ¥1,811.01472

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MT44K32M18RB-125F:A
MT44K32M18RB-125F:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥116.68312

0

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合计: ¥116.68312

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MT29F8G08ADBDAH4:D
MT29F8G08ADBDAH4:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥61.57914

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5-7 工作日

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合计: ¥61.57914

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MT29F8G08ADBDAH4-IT:D
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥28.36320

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5-7 工作日

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合计: ¥28.36320

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MT29F8G16ADADAH4:D
MT29F8G16ADADAH4:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥60.81139

0

5-7 工作日

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合计: ¥60.81139

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MT29F8G16ADADAH4-IT:D
MT29F8G16ADADAH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥33.91126

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MT29F8G16ADBDAH4:D
MT29F8G16ADBDAH4:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥98.48895

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MT46H8M16LFBF-6:K
MT46H8M16LFBF-6:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥109.33882

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合计: ¥109.33882

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MT46H8M32LFB5-6:H
MT46H8M32LFB5-6:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥512.82421

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合计: ¥512.82421

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MT46V16M16P-5B:M
MT46V16M16P-5B:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥38.54671

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MT46V32M16CY-5B:J
MT46V32M16CY-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12.5)

¥356.27028

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2-3 工作日

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