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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M28W320HST70ZA6E
M28W320HST70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥38.03971

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5-7 工作日

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合计: ¥38.03971

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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥48.17977

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5-7 工作日

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合计: ¥48.17977

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M28W640HCT70N6E
M28W640HCT70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥64.04172

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合计: ¥64.04172

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MT41J128M8JP-107:G
MT41J128M8JP-107:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥97.76466

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MT48LC16M8A2BB-6A:L
MT48LC16M8A2BB-6A:L
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x16)

¥35.82338

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M28W640HCT70ZB6E
M28W640HCT70ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6.39x10.5)

¥84.93025

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合计: ¥84.93025

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PC28F256P30T85
PC28F256P30T85
FLASH, 16MX16, 88NS, PBGA64

¥144.85800

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合计: ¥1,883.15400

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M29DW127G70ZA6E
M29DW127G70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥32.92622

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合计: ¥32.92622

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RC28F640J3F75A
RC28F640J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥112.76638

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2-3 工作日

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合计: ¥902.13101

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MT48LC16M8A2P-6A:L
MT48LC16M8A2P-6A:L
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥68.85101

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合计: ¥68.85101

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M29DW256G7ANF6E
M29DW256G7ANF6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥33.40217

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合计: ¥33.40217

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MT41J64M16JT-107:G
MT41J64M16JT-107:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥41.50182

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合计: ¥41.50182

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M29F160FB5AN6E2
M29F160FB5AN6E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥152.84941

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合计: ¥152.84941

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MT41K128M8JP-15E:G
MT41K128M8JP-15E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥18.23762

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M29F160FT55N3E2
M29F160FT55N3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥22.94213

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2-3 工作日

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MT41K1G4THV-125:M
MT41K1G4THV-125:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥11.86387

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合计: ¥11.86387

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M29F160FT5AN6E2
M29F160FT5AN6E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥73.15329

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MT46V64M4P-6T:K
MT46V64M4P-6T:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥69.44493

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MT41K1G4THV-15E:M
MT41K1G4THV-15E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥72.19723

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MT41K256M8DA-125:M
MT41K256M8DA-125:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥32.94071

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