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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT41K256M8DA-15E:M
MT41K256M8DA-15E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥25.72678

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合计: ¥25.72678

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MT41K512M4DA-125:M
MT41K512M4DA-125:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥20.03386

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合计: ¥20.03386

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MT41K512M8THD-15E:D
MT41K512M8THD-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥65.86693

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合计: ¥65.86693

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MT47H128M16RT-3:C
MT47H128M16RT-3:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (9x12.5)

¥21.43898

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合计: ¥21.43898

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MT47H128M4CF-25E:G
MT47H128M4CF-25E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥21.94599

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合计: ¥21.94599

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MT47H128M8CF-187E:H
MT47H128M8CF-187E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥142.82999

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合计: ¥142.82999

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MT47H128M8CF-25:H
MT47H128M8CF-25:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥20.74367

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RC28F320J3F75A
RC28F320J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥83.97418

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合计: ¥83.97418

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M29F200FB55M3E2
M29F200FB55M3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥48.52743

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合计: ¥48.52743

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M29F200FB55N3E2
M29F200FB55N3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥21.01890

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合计: ¥21.01890

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M29F200FB5AN6E2
M29F200FB5AN6E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥48.32463

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合计: ¥48.32463

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N25Q032A13E1240E
N25Q032A13E1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥123.85359

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合计: ¥123.85359

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M29F800FT55N3E2
M29F800FT55N3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥10.70501

9000

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合计: ¥10.70501

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N25Q032A13E1241E
N25Q032A13E1241E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥14.52926

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合计: ¥14.52926

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M29F800FT5AN6E2
M29F800FT5AN6E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥91.33297

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合计: ¥91.33297

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MT47H128M8CF-25E:H
MT47H128M8CF-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥26.48004

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合计: ¥26.48004

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M29W128GH70N3E
M29W128GH70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥26.23378

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合计: ¥26.23378

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MT46V128M4P-5B:J
MT46V128M4P-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥30.97064

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合计: ¥30.97064

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M29W128GH70ZS3E
M29W128GH70ZS3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥34.15752

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合计: ¥34.15752

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MT46V16M16CY-5B:M
MT46V16M16CY-5B:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12.5)

¥61.76403

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