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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT41K1G4RH-107:E
MT41K1G4RH-107:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥34.27340

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MT29F1G08ABADAH4-ITX:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥27.74031

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合计: ¥1,830.86026

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N25Q128A13ESF40E
N25Q128A13ESF40E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥47.23819

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合计: ¥47.23819

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MT41K1G8TRF-107:E
MT41K1G8TRF-107:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x11.5)

¥29.02954

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合计: ¥29.02954

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MT29F1G08ABADAWP-ITX:D
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥24.19129

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N25Q256A33EF840E
N25Q256A33EF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥43.16768

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MT46H16M16LFBF-6:H
MT46H16M16LFBF-6:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥68.02532

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MT41K1G8TRF-125:E
MT41K1G8TRF-125:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x11.5)

¥123.76668

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合计: ¥123.76668

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MT46H16M16LFBF-75:A
MT46H16M16LFBF-75:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥32.41922

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合计: ¥32.41922

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MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥98.70624

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合计: ¥98.70624

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MT41K2G4TRF-107:E
MT41K2G4TRF-107:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x11.5)

¥788.12892

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合计: ¥788.12892

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MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥28.24731

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MT41K2G4TRF-125:E
MT41K2G4TRF-125:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x11.5)

¥4.72237

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MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥24.33614

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N25Q512A13GF840E
N25Q512A13GF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥81.48263

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MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥29.89869

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MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥88.55170

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MT29F64G08CBABAWP:B
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

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MT41K512M16TNA-125:E
MT41K512M16TNA-125:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(10x14)

¥31.24587

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MT29F64G08CBABBWP-12:B
MT29F64G08CBABBWP-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

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