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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT29F32G08AFABAWP:B
MT29F32G08AFABAWP:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥14.97832

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5-7 工作日

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合计: ¥14.97832

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MT29F64G08CBCABH1-12:A
MT29F64G08CBCABH1-12:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥17.67268

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合计: ¥17.67268

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MT47H32M16HR-3:F
MT47H32M16HR-3:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥61.98474

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5-7 工作日

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合计: ¥61.98474

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MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥46.26765

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合计: ¥46.26765

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JS28F256P30TFE
JS28F256P30TFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥82.13449

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合计: ¥1,889.09318

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MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥120.85503

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MT41K512M8RH-107:E
MT41K512M8RH-107:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥54.24932

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合计: ¥54.24932

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MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥29.53155

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2-3 工作日

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合计: ¥29.53155

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MT46H4M32LFB5-5:K
MT46H4M32LFB5-5:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥40.35744

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合计: ¥40.35744

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MT41K64M16JT-125:G
MT41K64M16JT-125:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥163.29842

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合计: ¥163.29842

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MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥29.53155

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2-3 工作日

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合计: ¥29.53155

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MT46H4M32LFB5-6:K
MT46H4M32LFB5-6:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥82.29383

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MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥19.29509

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合计: ¥19.29509

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MT29F4G08ABADAH4-ITX:D
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥41.21934

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合计: ¥41.21934

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MT29F4G08ABADAWP-ITX:D
MT29F4G08ABADAWP-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥74.68879

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5-7 工作日

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合计: ¥74.68879

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MT46V32M8P-5B:M
MT46V32M8P-5B:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥84.52464

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合计: ¥1,859.54215

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MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥18.16519

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MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥37.95280

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合计: ¥37.95280

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MT29F64G08CECCBH1-12:C
MT29F64G08CECCBH1-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥41.18313

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MT29F64G08CECCBH1-12IT:C
MT29F64G08CECCBH1-12IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥16.97736

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