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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT48LC2M32B2P-5:J
MT48LC2M32B2P-5:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥14.65963

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合计: ¥14.65963

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MT47H256M8THN-3:H
MT47H256M8THN-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (8x10)

¥39.22755

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合计: ¥39.22755

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MT47H32M16HR-187E:G
MT47H32M16HR-187E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥17.29605

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合计: ¥17.29605

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MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥120.73914

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合计: ¥1,811.08715

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MT47H32M16HW-25E:G
MT47H32M16HW-25E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥84.04661

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合计: ¥84.04661

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MT47H64M16HW-3:H
MT47H64M16HW-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥66.05525

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PC28F00AP33BFA
PC28F00AP33BFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥122.26015

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MT47H512M4EB-25E:C
MT47H512M4EB-25E:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (9x11.5)

¥481.89911

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合计: ¥481.89911

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MT29F2G08ABDWP:D
MT29F2G08ABDWP:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥59.84084

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N25Q032A13ESE40G
N25Q032A13ESE40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥81.36674

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PC28F512P30EFA
PC28F512P30EFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥163.55854

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M29W400DT45ZE6E
M29W400DT45ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x9)

¥447.84299

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MT29F4G08AACHC:C
MT29F4G08AACHC:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥42.55928

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MT48LC8M16LFTG-75M:G
MT48LC8M16LFTG-75M:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥33.78089

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M29W400FB55N3E
M29W400FB55N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥1.16828

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M29W640GH70ZS6E
M29W640GH70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥57.56657

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MT47H512M8WTR-25E:C
MT47H512M8WTR-25E:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (9x11.5)

¥475.32256

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M29W640GL70ZS6E
M29W640GL70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥106.25334

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MT47H512M8WTR-3:C
MT47H512M8WTR-3:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (9x11.5)

¥96.85206

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N25Q032A13ESF40G
N25Q032A13ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

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