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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M25P32-VMF6PBA
M25P32-VMF6PBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOP2

¥31.63699

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MTFC32GLXDI-WT
MTFC32GLXDI-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥23.03242

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M25P32-VMW6GBA
M25P32-VMW6GBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥92.23109

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MT48LC128M4A2P-75:C
MT48LC128M4A2P-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥523.79204

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MT41K256M16HA-107G:E
MT41K256M16HA-107G:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥22.22122

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MT47H256M8THN-25E:M
MT47H256M8THN-25E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (8x10)

¥58.43572

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M25P40-VMW6GB
M25P40-VMW6GB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥104.29776

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MT48LC32M8A2P-6A:G
MT48LC32M8A2P-6A:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥86.72396

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MTFC4GLGDQ-AIT
MTFC4GLGDQ-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥192.41488

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NAND01GR3B2CZA6E
NAND01GR3B2CZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9.5x12)

¥74.70327

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MT48LC32M8A2P-7E:G
MT48LC32M8A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥35.17152

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M25P64-VMF3PB
M25P64-VMF3PB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOP2

¥47.48445

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MT41K256M16HA-125:E
MT41K256M16HA-125:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥216.77838

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MT48LC4M16A2B4-7E:J
MT48LC4M16A2B4-7E:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥10.93678

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MTFC4GLYAM-WT
MTFC4GLYAM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥896.84485

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M25P40-VMN6
M25P40-VMN6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥24.79969

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M25PE16-VMW6G
M25PE16-VMW6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥49.24593

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NAND08GW3D2AN6E
NAND08GW3D2AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥4.07051

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M25P40-VMP6G
M25P40-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥145.91546

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MT47H128M4SH-25E:H
MT47H128M4SH-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥46.86156

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