品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 105 A 最大功率: 379 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥250.39826 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,007.96510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥251.13072 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥251.13072 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 431 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥253.51213 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,070.24264 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 170瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥254.92070 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,882.85893 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP1 | ¥452.46828 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥452.46828 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 68 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥261.52234 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,230.44672 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥263.36252 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,847.42547 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP3 | ¥671.26953 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥671.26953 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 431 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥265.85218 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,317.04352 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 148 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥270.17841 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,403.56816 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥273.64589 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,841.14720 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥280.46539 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,609.30772 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,562.49493 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,562.49493 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥281.76434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,635.28676 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP1 | ¥425.47894 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥425.47894 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥282.41381 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,648.27628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 151 A 最大功率: 462 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥290.64051 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,812.81020 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥609.42498 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥609.42498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥308.39127 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,092.99912 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 195 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥311.42374 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,228.47484 | 添加到BOM 立即询价 |