品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,471.14308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,471.14308 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥193.99095 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,983.67406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 112 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥197.77772 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,955.55436 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥213.35758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥213.35758 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥204.26933 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,085.38656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥232.39964 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥232.39964 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥211.30191 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,226.03812 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥211.73468 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,234.69360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥246.46479 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥246.46479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥213.35758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,040.80021 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥214.87229 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,297.44582 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥269.04117 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥269.04117 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥308.13509 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥308.13509 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥225.69164 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,513.83282 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥227.74732 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,554.94636 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 123 A 最大功率: 570 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥409.69272 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥409.69272 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 149 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥749.13179 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥749.13179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 84 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥239.86499 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,797.29980 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 97 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: 同位素 | ¥309.00064 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥309.00064 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 153 A 最大功率: 446 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥248.62866 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,972.57326 | 添加到BOM 立即询价 |