品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,538.46432 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,538.46432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 517 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,926.50819 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,706.03274 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥731.82169 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,050.03860 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,194.60286 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,362.21999 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,200.95329 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,406.67302 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,948.68057 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,794.72230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP4 | ¥734.18997 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,076.08966 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,981.51519 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,926.06078 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,981.51519 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,926.06078 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 910 A 最大功率: 3000瓦 供应商设备包装: D4 | ¥1,981.81107 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,909.05533 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥738.01466 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,118.16127 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥740.08115 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,140.89264 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP3 | ¥747.50098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,222.51078 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥1,310.83727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,310.83727 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 210瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥748.87866 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,237.66529 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥5,691.34809 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,691.34809 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 192瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥3,385.98236 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,385.98236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 2500瓦 供应商设备包装: D4 | ¥2,013.01478 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,013.01478 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 185 A 最大功率: 650 W 供应商设备包装: SP3 | ¥752.39500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,276.34498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 192瓦 供应商设备包装: 同位素 | ¥1,454.88469 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,454.88469 | 添加到BOM 立即询价 |