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品牌介绍

Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。

英文全称: Microchip Technology

中文全称: 微芯

英文简称: Microchip

品牌地址: http://www.microchip.com/

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品牌型号
描述
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操作
APTGT75TA120PG
APTGT75TA120PG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP6-P

¥1,595.89243

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,979.46214

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APTGT75TDU120PG
APTGT75TDU120PG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP6-P

¥1,595.89243

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,979.46214

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APTGL475U120DAG
APTGL475U120DAG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2307 W 供应商设备包装: SP6

¥1,612.49015

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,062.45074

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APTGT100H120G
APTGT100H120G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP6

¥1,618.23440

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,091.17201

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APTGT200DH120G
APTGT200DH120G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6

¥1,632.84040

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,164.20198

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APTGL475DA120D3G
APTGL475DA120D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2080 W 供应商设备包装: D3

¥1,636.20324

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,181.01619

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APTGL475SK120D3G
APTGL475SK120D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2080 W 供应商设备包装: D3

¥1,636.20324

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,181.01619

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APTGT400U120D4G
APTGT400U120D4G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2250瓦 供应商设备包装: D4

¥1,657.85244

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,289.26219

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APTGT50TDU170PG
APTGT50TDU170PG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 310瓦 供应商设备包装: SP6-P

¥1,722.10726

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,610.53632

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APTGLQ200H65G
APTGLQ200H65G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 270 A 最大功率: 680 W 供应商设备包装: SP6

¥1,730.44942

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,652.24711

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APTGT200A120D3G
APTGT200A120D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1040瓦 供应商设备包装: D3

¥1,730.68035

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,653.40173

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APTGT300DA170G
APTGT300DA170G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6

¥1,759.05523

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,795.27616

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APTGT300SK170G
APTGT300SK170G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6

¥1,759.05523

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,795.27616

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APTGT300DA170D3G
APTGT300DA170D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 530 A 最大功率: 1470 W 供应商设备包装: D3

¥1,759.66141

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,798.30705

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