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APT30GF60JU2是IGBT 600V 58A 192W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于1.058219盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供ISOTOP等商品名称功能，包装箱设计用于ISOTOP，以及底盘安装安装类型，该设备也可以用作SOT-227供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以单配置提供，该设备最大功率为192W，集电器Ic最大值为58A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器截止最大值为40μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.85nF@25V，NTC热敏电阻为否，Pd功耗为192 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25 C时的连续集电极电流为58 A，栅极-发射极漏电流为100 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APT30F60J是分立半导体模块功率FREDFET-MOS8，包括2.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.058219 oz，典型开启延迟时间设计为48 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8 ISOTOP，该器件的上升时间为55 ns，该器件具有120 mOhms的Rds漏极源极电阻，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为355 W，封装为散装，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为31 a，下降时间为44 ns，并且配置是单一的。
APT30F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
