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APT30SCD120B是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A，包括肖特基碳化硅二极管产品，设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-2，提供SiC等技术特性，安装类型设计用于通孔，以及to-247供应商设备包，该设备也可以用作无恢复时间>500mA（Io）速度。此外，二极管类型为碳化硅肖特基，该器件提供600μA@1200V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.8V@30A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为99A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为2100pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为291 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.8 V，Vr反向电压为1.2 kV，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为1.2kV，Ifsm正向浪涌电流为330A。
APT30SCD120S是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK，包括1.8V@30A电压正向Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D3PAK的供应商设备包，该设备提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），反向恢复时间trr设计为0 ns，除了管封装外，该器件还可以用作TO-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、TO-268AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为600μa@1200V，电流平均整流Io为99A（DC），电容Vr F为2100pF@0V，1MHz。
APT30S20SG是二极管肖特基200V 45A D3，包括45A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作500μa，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及to-268-3，D3Pak（2引线+接线片），TO-268AA包装盒，该设备也可用作管包装。此外，反向恢复时间trr为55ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D3[S]，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为850mV@30A。
