绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 440 A 最大功率: 1450 W 供应商设备包装: Module | ¥1,336.24036 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,336.24036 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: Module | ¥1,390.50393 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,390.50393 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,471.75496 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,471.75496 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 370 A 最大功率: 1950 W 供应商设备包装: Module | ¥1,512.74128 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,512.74128 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 460 A 最大功率: 1600 W 供应商设备包装: Module | ¥603.16265 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥603.16265 | 立即购买 加入购物车 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 3900 W 供应商设备包装: Module | ¥1,512.74128 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,512.74128 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 2000瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,623.86614 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,623.86614 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,578.69460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,578.69460 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 520 A 最大功率: 2400 W 供应商设备包装: Module | ¥1,591.82754 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,591.82754 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2100 W 供应商设备包装: Module | ¥6,324.59203 | 12 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,324.59203 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥194.07163 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,986.57872 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 440 A 最大功率: 1800瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,594.85822 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,594.85822 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 2000 A 最大功率: 4.2 mW 供应商设备包装: AG-IHVB190-3 | ¥29,683.61488 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,683.61488 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 112 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥197.85998 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,957.19956 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 供应商设备包装: Module | ¥1,838.61132 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,838.61132 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥213.44632 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥213.44632 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 185 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥202.96162 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,029.61619 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥204.35429 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,087.08576 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 供应商设备包装: Module | ¥1,844.38404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,844.38404 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥232.49630 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥232.49630 | 添加到BOM 立即询价 |