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什么是绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块:

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。

最大集电极电流 (Ic):
  • 22A
  • 1800 A
  • 80 A
  • 620 A
  • 84 A
  • 42 A
  • 225 A
  • 16 A
  • 240 A
  • 19A
  • 165 A
  • 123 A
  • 100 A
  • 39 A
  • 35A
  • 195 A
  • 440 A
  • 130 A
  • 72 A
  • 2400 A
  • 95 A
  • 30 A
  • 27 A
  • 300 A
  • 510 A
  • 23 A
  • 65 A
  • 153 A
  • 69 A
  • 12A
  • 185 A
  • 64 A
  • 2000 A
  • 128 A
  • 283 A
  • 1400 A
  • 11 A
  • 600 A
  • 166 A
  • 105 A
  • 38 A
  • 90 A
  • 150 A
  • 75 A
  • 52 A
  • 1600 A
  • 139 A
  • 460 A
  • 112 A
  • 87 A
  • 45 A
  • 68 A
  • 116 A
  • 27.5 A
  • 140 A
  • 200 A
  • 370 A
  • 86 A
  • 430 A
  • 950 A
  • 280 A
  • 520 A
  • 148 A
  • 15A
  • 37 A
  • 125 A
  • 70 A
  • 97 A
  • 151 A
  • 400 A
  • 675 A
  • 117 A
  • 25 A
  • 1200 A
  • 480 A
  • 1.2 kA
  • 29 A
  • 3460 A
  • 20A
  • 85 A
  • 700 A
  • 450 A
  • 160 A
  • 220 A
  • 580 A
  • 310 A
  • 500 A
  • 55 A
  • 145 A
  • 375 A
  • 78 A
  • 1500 A
  • 149 A
  • 900 A
  • 50 A
  • 420 A
  • 31 A
  • 825 A
  • 110 A
  • 18A
更多
集电极击穿电压:
  • 950伏
  • 600 V
  • 1200伏
  • 300伏
  • 1700伏
  • 1600伏
  • 1400伏
  • 3300伏
  • 1.2伏
  • 5900 V
  • 700 V
  • 6500 V
  • 2500伏
  • 250伏
  • 650 V
  • 900 V
  • 750 V
  • 1250伏
  • 1000伏
  • 620 V
  • 4500伏
更多
最大功率:
  • 100瓦
  • 940瓦
  • 50 W
  • 180瓦
  • 595 W
  • 140瓦
  • 77 W
  • 12500 W
  • 1100瓦
  • 205瓦
  • 1650 W
  • 2500瓦
  • 1250瓦
  • 480瓦
  • 210瓦
  • 290瓦
  • 1450 W
  • 870 W
  • 94瓦
  • 335 W
  • 61 W
  • 312 W
  • 250瓦
  • 6250 W
  • 410 W
  • 2400 W
  • 20毫瓦
  • 2000瓦
  • 360瓦
  • 658 W
  • 1000000 W
  • 170瓦
  • 197 W
  • 130瓦
  • 385 W
  • 4800 W
  • 68 W
  • 600 W
  • 280瓦
  • 115瓦
  • 10500瓦
  • 1600 W
  • 208瓦
  • 430 W
  • 283 W
  • 350瓦
  • 570 W
  • 340 W
  • 45瓦
  • 225瓦
  • 104瓦
  • 4150 W
  • 1500瓦
  • 75 W
  • 536 W
  • 1800瓦
  • 329 W
  • 446 W
  • 695 W
  • 3350 W
  • 460瓦
  • 416 W
  • 379 W
  • 105瓦
  • 17000 W
  • 543 W
  • 520 W
  • 1000瓦
  • 2250瓦
  • 454.5 W
  • 71.5 W
  • 431 W
  • 284 W
  • 780 W
  • 70 W
  • 300瓦
  • 176 W
  • 150瓦
  • 2300 W
  • 462 W
  • 142.8 W
  • 3900 W
  • 625 W
  • 175瓦
  • 417 W
  • 89 W
  • 1950 W
  • 145 W
  • 4.2 mW
  • 5100 W
  • 81 W
  • 40瓦
  • 2100 W
  • 765000 W
  • 500 W
  • 85 W
  • 700 W
  • 682 W
  • 4050 W
  • 640 W
更多
制造厂商:
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 威世二极管 (Vishay General)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 微芯 (Microchip)
  • 宝英电源 (Powerex)
  • 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 力特 (Littelfuse)
  • 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
更多
供应商设备包装:
  • 26-DIP
  • 56-PIM/Q2PACK (93x47)
  • AG-ECONO2C
  • SOT-227
  • AG-ECONO2B
  • EZIRPACK 1
  • Dual INT-A-PAK
  • POWIR ECO 2
  • AG-PRIME3+-5
  • E10
  • AG-XHP3K33
  • AG-ECONOD-4
  • AG-ECONOD-5
  • AG-ECONOD-6
  • AG-XHP100-6
  • AG-ECONO3B
  • A-IHV190-6
  • 同位素
  • Module
  • S3
  • AG-XHP3K65
  • AG-HYBDC6I-1
  • SP6-P
  • AG-PRIME2
  • AG-XHP100-3
  • EPM7
  • AG-ECONO2-6
  • AG-ECONO2-8
  • AG-EASY1B-2
  • Y4-M5
  • 鲍威尔62
  • AG-IHVB130-3
  • EMIPAK-2B
  • PG-MDIP-28
  • D1
  • INT-A-Pak
  • D3
  • D4
  • 7PM-IA
  • SP2
  • SP1
  • SP4
  • SP3
  • SP6
  • 25PM-AA
  • AG-EASY2B-3
  • AG-EASY2B-2
  • MTP
  • E1
  • 10-MTP
  • ACEPACK1.
  • E2
  • 27-DIP
  • E3
  • AG-IHVB190-3
  • Y3-DCB
  • 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
  • SOT-227B
  • 7PM-HA
  • AG-EASY2B
  • AG-PRIME3-1
  • MiniPack2
  • AG-IHMB190-2
  • 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
  • F1
  • ACEPACK2.
  • F2
  • V1A-PAK
  • 12-MTP
  • SP3F
  • 7PM-GA
  • 鲍威尔34
  • ECO-PAC1
  • ECO-PAC2
  • IMS-2
  • AG-EASY3B
  • AG-ECONOD
  • WB
  • AG-EASY2BM-2
  • AG-ECONOPP-2-1
  • AG-62MM-1
  • AG-62毫米
  • 22-PIM (55x32.5)
  • AG-ECONO3
  • AG-ECONOD-3
  • AG-ECONO2
  • ECONO3 4PACK
  • AG-ECONOPP
  • 23-SOP
  • AG-HYBRIDD-2
  • A-IHV130-6
  • AG-HYBRIDD-1
  • AG-IHVB190
  • A-IHV130-3
  • 12-MTP Pressfit
  • AG-IHMB130-2
  • SOT-227(同位素)
  • AG-IHMB190
  • ISOTOP
  • AG-EASY1B
更多
IGBT型:
  • 场截止
  • NPT, Trench Field Stop
  • NPT and Fieldstop
  • 沟槽
  • NPT
  • PT
  • PT, Trench
  • 场终止沟道
更多
参数配置:
  • 三路、双路-公共电源
  • 三电平逆变器-IGBT、FET
  • 降压斩波电路
  • 三相逆变器
  • 升压斩波器,全桥
  • 三相
  • 双制动斩波器
  • 带制动器的三相逆变器
  • 单个的
  • 升压斩波电路
  • 半桥
  • 不对称电桥
  • 三电平逆变器
  • 双重、公共源
  • 半桥逆变器
  • 单斩波器
  • T型
  • 全桥
  • 双降压斩波器
  • 单个开关
  • 双升压斩波器
  • 全桥逆变器
  • 3独立
  • 2独立
更多
当前"绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块"共 2699 条相关库存
久芯自营
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品牌型号
描述
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库存
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操作
FF900R12IP4BOSA2
FF900R12IP4BOSA2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 5100 W 供应商设备包装: Module

¥5,302.20469

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,302.20469

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FP06R12W1T4B3BOMA1
FP06R12W1T4B3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: Module

¥151.36540

24

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,270.48099

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APT50GP60JDQ2
APT50GP60JDQ2
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素

¥228.56827

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,571.36536

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FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大功率: 6250 W 供应商设备包装: Module

¥7,177.65891

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,177.65891

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MUBW30-12A6K
MUBW30-12A6K
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 130瓦 供应商设备包装: E1

¥402.12090

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥402.12090

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FP15R06W1E3B11BOMA1
FP15R06W1E3B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 22A 最大功率: 81 W 供应商设备包装: Module

¥152.95796

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,294.36936

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FF1400R12IP4BOSA1
FF1400R12IP4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 1400 A 最大功率: 765000 W 供应商设备包装: Module

¥7,701.10377

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,701.10377

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APT100GT120JRDQ4
APT100GT120JRDQ4
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 123 A 最大功率: 570 W 供应商设备包装: 同位素

¥411.16952

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥411.16952

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IXA70I1200NA
IXA70I1200NA
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SOT-227B

¥238.73892

566

5-7 工作日

- +

合计: ¥238.73892

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APT60GF120JRDQ3
APT60GF120JRDQ3
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 149 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: 同位素

¥751.83215

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥751.83215

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FP10R12W1T4B3BOMA1
FP10R12W1T4B3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: Module

¥232.36869

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,576.84856

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VS-GT80DA120U
VS-GT80DA120U
IGBT型: 沟槽 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 139 A 最大功率: 658 W 供应商设备包装: SOT-227

¥282.24471

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥282.24471

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FF200R12KE4HOSA1
FF200R12KE4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 240 A 最大功率: 1100瓦 供应商设备包装: Module

¥950.46757

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥950.46757

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FB20R06W1E3BOMA1
FB20R06W1E3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: Module

¥234.25080

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,622.01930

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APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 84 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: SOT-227

¥240.72962

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,814.59240

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APT75GT120JRDQ3
APT75GT120JRDQ3
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 97 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: 同位素

¥310.11448

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥310.11448

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FF300R12KT3HOSA1
FF300R12KT3HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 480 A 最大功率: 1450 W 供应商设备包装: Module

¥1,340.49950

5

5-7 工作日

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合计: ¥1,340.49950

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A1P50S65M2-F
A1P50S65M2-F
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: ACEPACK1.

¥338.41858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥338.41858

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FP75R12KT4B15BOSA1
FP75R12KT4B15BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: Module

¥1,361.92665

20

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,361.92665

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FP20R06W1E3B11BOMA1
FP20R06W1E3B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 27 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: Module

¥244.09571

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,858.29699

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