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A1P50S65M2-F

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: ACEPACK1.
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 371.03659 371.03659
10+ 346.14691 3461.46912
36+ 342.19298 12318.94756
  • 库存: 0
  • 单价: ¥337.27320
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥371.04
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 参数配置 三相逆变器
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 集电极最大截止电流 100A.
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 50 A
  • 最大功率 208瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 50A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 4.15 nF @ 25 V
  • 供应商设备包装 ACEPACK1.
  • 色彩/颜色 灰色
A1P50S65M2-F所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,A1P50S65M2-F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。A1P50S65M2-F价格参考¥337.273200,你可以下载 A1P50S65M2-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询A1P50S65M2-F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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