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FZ2000R33HE4BOSA1
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FZ2000R33HE4BOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 2000 A 最大功率: 4.2 mW 供应商设备包装: AG-IHVB190-3
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 29778.22859 29778.22859
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  • 单价: ¥29,778.22860
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    - +
  • 总计: ¥29,778.23
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极最大截止电流 5 mA
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 参数配置 单个开关
  • 集电极击穿电压 3300伏
  • 最大集电极电流 (Ic) 2000 A
  • 最大功率 4.2 mW
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 2kA (Typ)
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 280 nF @ 25 V
  • 供应商设备包装 AG-IHVB190-3

FZ2000R33HE4BOSA1 产品详情

FZ2000R33HE4BOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FZ2000R33HE4BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FZ2000R33HE4BOSA1价格参考¥29778.228596,你可以下载 FZ2000R33HE4BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FZ2000R33HE4BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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