品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,117.11936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,819.83551 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥424.75730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,220.87417 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,119.86801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,958.94411 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥699.92520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,699.17723 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥428.13696 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,706.46530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 1750瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,807.01543 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,035.07713 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 | ¥428.13941 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,422.09121 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 供应商设备包装: SP3F | ¥835.22614 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥835.22614 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,134.32528 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,940.27694 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥705.04228 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,755.46508 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,817.65240 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,088.26200 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,137.31496 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,961.20471 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,137.31496 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,961.20471 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器-IGBT、FET 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥713.99718 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,853.96901 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,850.47259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,252.36293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 935 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,070.33645 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,070.33645 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥723.48343 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,958.31772 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 365 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,893.38130 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,466.90651 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP3 | ¥726.69148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,993.60628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 517 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,926.50819 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,706.03274 | 添加到BOM 立即询价 |