品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥194.55574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,004.00668 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP3 | ¥1,029.48166 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,029.48166 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2080 W 供应商设备包装: D3 | ¥2,571.61528 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,286.46112 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: NPT 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP3 | ¥4,821.08647 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,821.08647 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: NPT 参数配置: 双降压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP3 | ¥1,810.94041 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,810.94041 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 2100 W 供应商设备包装: D3 | ¥2,621.74621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,486.98483 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,765.97809 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,297.93428 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4 | ¥887.56741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,988.10670 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,765.97809 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,297.93428 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥889.79379 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,008.14410 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SP3 | ¥890.55740 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,015.01659 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 530 A 最大功率: 1470 W 供应商设备包装: D3 | ¥2,780.71116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,342.13348 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP4 | ¥902.59779 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,123.38013 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波器，全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥912.10639 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,208.95753 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥4,145.39741 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,145.39741 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥735.34444 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥735.34444 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥6,210.82595 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,210.82595 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥4,454.63967 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,454.63967 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4 | ¥347,963.10103 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥347,963.10103 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 735 W 供应商设备包装: SP1 | ¥1,849.11546 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,849.11546 | 添加到BOM 立即询价 |