9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT45GP120J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT45GP120J参考价格为39.13500美元。Microchip Technology APT45GP120J封装/规格：IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP。您可以下载APT45GP120J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT45GP120J价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT45GP120BG是IGBT 1200V 100A 625W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于POWER MOS 7 IGBT，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-247[B]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为625W，集电器Ic最大值为100A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为170A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，45A，开关能量为900μJ（开）、904μJ（关），栅极电荷为185nC，25°C时的Td为18ns/102ns，测试条件为600V、45A、5欧姆、15V，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，且集电极-发射极饱和电压为3.3V，且25℃时的连续集电极电流为100A，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且持续集电极电流Ic-Max为100A。
APT45GP120B2DQ2G是IGBT 1200V 113A 625W TMAX，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、45A Vce on Max Vge Ic下工作，产品名称显示在数据表注释中，用于POWER MOS 7 IGBT，提供600V、45A、5 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，905μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为625W，该器件提供625 W Pd功耗，该器件有一个封装管，封装盒为TO-247-3变体，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大栅-发射极电压为30 V，输入类型为标准，IGBT类型为PT，栅极-发射极漏电流为100nA，栅极电荷为185nC，集电极脉冲Icm为170A，集电极Ic最大值为113A，连续集电极电流Ic最大为113 A，25 C时的连续集电极电压为113 A；配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极-发射极饱和电压为3.3V。
APT45GP120B带有由APT制造的电路图。APT45GP110B采用TO-247封装，是IGBT的一部分-单个。
