9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT40GP90J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT40GP90J参考价格为36.24000美元。Microchip Technology APT40GP90J封装/规格：IGBT模块900V 68A 284W ISOTOP。您可以下载APT40GP90J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT40GP90J价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT40GP60SG是IGBT 600V 100A 543W D3PAK，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-268-3、D3PAK（2引线+接线片）、to-268AA的封装盒，该封装盒提供输入型功能，如标准型，安装型设计用于表面安装，以及D3[S]供应商设备封装，该器件还可以用作543W功率最大值。此外，集电器Ic最大值为100A，该器件提供600V电压集电器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT类型的PT，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，40A，开关能量为385μJ（开），352μJ（关），栅极电荷为135nC，25°C时的Td为20ns/64ns，测试条件为400V、40A、5欧姆、15V。
APT40GP90B2DQ2G是IGBT 900V 101A 543W TMAX，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.9V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于600V、40A、4.3 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如14ns/90ns，开关能量设计为在795μJ（关）下工作，与POWER MOS 7R系列一样，该器件也可以用作543W最大功率。此外，该器件采用管式封装，采用TO-247-3变型封装盒，该器件具有安装型通孔，输入型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为145nC，集流器脉冲Icm为160A，集流器Ic最大值为101A。
APT40GP90BG是IGBT 900V 100A 543W TO247，包括100A集流器Ic Max，它们设计用于160A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于145nC的栅极电荷，提供IGBT类型的功能，如PT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，该器件提供543W功率最大，该器件具有一个Power MOS 7R系列，供应商器件包装为TO-247[B]，开关能量为825μJ（关断），25°C时的Td为16ns/75ns，测试条件为600V、40A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic为3.9V@15V、40A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
