品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥51.80122 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.80122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥99.30016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥99.30016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥56.71191 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.71191 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥31.78185 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.78185 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥37.48925 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.48925 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥115.58220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.58220 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥40.00978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.00978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥472.99034 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥472.99034 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥37.51822 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.51822 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥113.97427 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.97427 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥54.49558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.49558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥106.78932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.78932 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥57.43620 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.43620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥43.10974 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.10974 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥50.77273 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.77273 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥39.82146 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.82146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥59.94224 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.94224 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥16.87596 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.87596 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥9.53166 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.53166 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥52.88766 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.88766 | 添加到BOM 立即询价 |