品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥17.33950 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.33950 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥10.71949 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.71949 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥76.61540 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.61540 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥23.56840 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.56840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥37.73551 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.73551 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥90.02925 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.02925 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥35.09909 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.09909 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥122.23118 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥122.23118 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥74.05141 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.05141 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥29.50758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.50758 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥59.47870 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.47870 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥23.11934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.11934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥53.45260 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.45260 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥44.21066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.21066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥47.78865 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.78865 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥51.12039 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.12039 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥160.51715 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥160.51715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥162.53068 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥162.53068 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥19.32406 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.32406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥5.53358 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.53358 | 添加到BOM 立即询价 |