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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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描述
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IS61LV12816L-10TLI-TR
IS61LV12816L-10TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥70.41547

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IS61LV6416-12KL-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥61.24596

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IS61NLF102418-6.5TQ
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥56.95817

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合计: ¥56.95817

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IS61NLF102418-6.5TQ-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥44.87701

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IS61NLF12836A-7.5TQI
IS61NLF12836A-7.5TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥119.26159

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IS61NLF12836A-7.5TQI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥19.28060

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IS61NLF25636A-7.5TQI
IS61NLF25636A-7.5TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥23.65531

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IS61NLF25636A-7.5TQI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥36.04067

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IS61NLF51236-7.5TQI
IS61NLF51236-7.5TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥51.83019

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IS61NLF51236-7.5TQI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥73.03740

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IS61NLF51236-7.5TQLI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥15.86195

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IS61NLF51236-7.5TQLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥32.04259

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IS61NLP102418-200TQ
IS61NLP102418-200TQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥65.75105

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IS61NLP102418-200TQ-TR
IS61NLP102418-200TQ-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥116.10369

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IS61NLP102418-200TQLI
IS61NLP102418-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥57.81283

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IS61NLP102418-200TQLI-TR
IS61NLP102418-200TQLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥77.36866

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IS61NLP102418-250B3
IS61NLP102418-250B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥31.97016

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IS61NLP102418-250B3-TR
IS61NLP102418-250B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥116.71209

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IS61NLP25618A-200TQI
IS61NLP25618A-200TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥104.45710

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IS61NLP25618A-200TQI-TR
IS61NLP25618A-200TQI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥26.30621

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