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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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品牌型号
描述
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IS42VS16100C1-10TLI
IS42VS16100C1-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥45.32607

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合计: ¥45.32607

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IS42VS16100C1-10TLI-TR
IS42VS16100C1-10TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥10.27043

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合计: ¥10.27043

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IS43R16800A-5TL-TR
IS43R16800A-5TL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥26.03098

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合计: ¥26.03098

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IS61C1024AL-12KI
IS61C1024AL-12KI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥56.71191

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IS61C1024AL-12KI-TR
IS61C1024AL-12KI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥43.87749

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合计: ¥43.87749

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IS61C1024AL-12KLI-TR
IS61C1024AL-12KLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥68.87998

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合计: ¥68.87998

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IS61C1024AL-12TI
IS61C1024AL-12TI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥23.35111

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合计: ¥23.35111

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IS61C1024AL-12TI-TR
IS61C1024AL-12TI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥83.30784

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合计: ¥83.30784

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IS61C632A-6TQI
IS61C632A-6TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥12.67508

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合计: ¥12.67508

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IS61C632A-6TQI-TR
IS61C632A-6TQI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥44.54384

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合计: ¥44.54384

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IS61C632A-7TQ
IS61C632A-7TQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥141.59870

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合计: ¥141.59870

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IS61C632A-7TQ-TR
IS61C632A-7TQ-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥136.91978

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合计: ¥136.91978

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IS61C6416AL-12KI
IS61C6416AL-12KI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥187.88083

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合计: ¥187.88083

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IS61C6416AL-12KI-TR
IS61C6416AL-12KI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥34.91078

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合计: ¥34.91078

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IS61C6416AL-12TI
IS61C6416AL-12TI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥58.00114

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IS61C6416AL-12TI-TR
IS61C6416AL-12TI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.10826

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IS61DDB21M36-250M3
IS61DDB21M36-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥52.43860

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IS61DDB22M18-250M3
IS61DDB22M18-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥23.29317

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IS61DDB41M36-250M3
IS61DDB41M36-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥50.43956

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IS61DDB42M18-250M3
IS61DDB42M18-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥75.57242

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