品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥9.06811 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.06811 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥81.17842 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.17842 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥234.52235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,624.84675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥234.52235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,624.84675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥234.52235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,624.84675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥234.52235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,624.84675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥234.52235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,624.84675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥159.48866 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥159.48866 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥25.91510 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.91510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥33.30285 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.30285 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-LFBGA (8x13) | ¥32.52062 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.52062 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥72.02340 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.02340 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥86.75546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.75546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥39.15512 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.15512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥69.79258 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.79258 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥49.41106 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.41106 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥140.10666 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥140.10666 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥29.81178 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.81178 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥54.04652 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.04652 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥72.48694 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.48694 | 添加到BOM 立即询价 |