品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥626.59777 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥626.59777 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8, 256 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥33.78089 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.78089 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥143.97437 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥143.97437 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥64.78050 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.78050 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥61.62259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.62259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥78.23781 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.23781 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥16.55727 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.55727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (13x11) | ¥17.36847 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.36847 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (13x11) | ¥76.28222 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.28222 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (13x11) | ¥50.65684 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.65684 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (13x11) | ¥168.87546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥168.87546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥32.98417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.98417 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥497.84797 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥497.84797 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥37.43131 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.43131 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥90.10168 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.10168 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥75.28270 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.28270 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥37.83691 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.83691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥33.10005 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.10005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥117.66815 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117.66815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥485.96962 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥485.96962 | 添加到BOM 立即询价 |